半导体物理的能带是k空间定义的,但物理量却都是由坐标空间给出的,那k空间和坐标空间的变换是怎样的?
k空间是一个虚空间,是不能和实空间进行转换的。k空间中的能带图反应了实空间中载流子所处的能量状态。拿pn结能带图来说,大致上可以相互对应上去,但这只能是为了方便理解,实际上是不可以的。
半导体概念类的基础问题。。
1.其实你的问题是因为概念的混淆。
当电子移动时,留下的空状态可以被看成假想的粒子,这些空状态被叫做空穴。由以上空穴的定义可以看到,空穴其实是假想的与电子相对应的一种粒子。而磷原子在N型半导体中形成正离子的原因是其5个价电子只有4个与Si或Ge成键,剩余的一个则以电子的形式放出,所以该磷并不是假想的,而是实际存在的。所以我们说它形成了正离子而不是空穴。
2.对。
但是在这里我有个疑问:你为什么没有问“实质是不是就是N区的电子向P区移动,P区的空穴向N区移动”呢?
当弄清楚第一个问题后,答案很简单,空穴是假想的,是电子移动的结果。
3.空间电荷区实际上是一个载流子不断复合的动态平衡的区域。也就是载流子复合一直存在于其中,但是多子的扩散与少子的漂移动态平衡,宏观上看来,是一个稳定的区域。明白了这个,你的疑问也许就会消除了。
以上个人看法,希望指点!
大学生如何学好半导体物理学
首先,需要一本好教材,建议用刘恩科的《半导体物理学》,经典,好其次,第一遍看的时候好多不懂,不要紧,认认真真看三遍,基本没有什么大问题最后,课后题看看,可以不做,但是要看看自己有没有思路,有思路的时候就差不多了注意:1.书中好多公式最好是自己能够不看课本能够推到下来,这才说明你理解了 2.多记忆一些数据,比如不同半导体材料的禁带宽度等等,记的多了,自然会比较,就会理解的更好个人经验,望有助于你,此外本人就是搞半导体方面的,如有疑问,可以交流。