为什么高掺杂的半导体耗尽层就窄,低掺杂时耗尽层就宽

bdqnwqk4个月前基础20

按照半导体物理学,耗尽层(空间电荷区)就是掺杂造成的。自然,掺杂越多,耗尽层就越宽。
你用的模拟电子技术基础写错了。
老旧模电书写错的地方海多了。
这是因为,半导体物理学是模拟电子学的基础。但是老旧模拟电子技术教科书,基本上没怎么用半导体物理学。
所谓,基础不牢地动山摇呀!

半导体物理本征半导体导电机构

当然是物理性质。晶体管其实就是建立在半导体物理学的基础上的,它利用的就是半导体物理学的一些性质。从最基本的本征半导体、杂质半导体、PN结、单向导电性、结电容、三极管电流放大作用、场效应管电压控制电流作用等等,统统都是物理学内容。所以晶体管所在的课程(比如模拟电子技术),一开始第一节就是半导体物理的内容。

半导体物理学需要用到的高等数学哪些知识点

这个需要有一定的固体物理知识,其实也很好理解,你可以首先想象出一个空间直角坐标系.以硅举例,硅是由两个面心立方沿对角线方向也就是坐标(1,1,1)方向移动0.25对角线长度套构而成,所构成的复式格子,111方向只是一种观察方向而已,硅还可以从(1,0,0)(1,1,0)方向进行观察,如果要深究就去看固体物理的晶列指数和晶面指数和半导体物理的回旋共振实验.
第二个1/3也很好理解,空间坐标点(1,1,1)关于三个坐标轴投影的余弦值,就是一个单位立方体,对角线长度根号三,边长为1,余弦值:根号三除一,平方就是1/3,三个余弦值之和为1(这个知识点可以看高等数学的空间解析几何)