1、UGD=UGS-UDS，这是定义，没有什么好说的。
2、第三个式子是从第二个推导出来的。
3、整个公式其实是从实验获得，你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了。具体过程是这样的。
（1）首先设定UDS为0，然后慢慢增加UGS，等到UGS〉UGS（th），管子两端只要加微量电流，管子就可以导通，此时沟道形成了。
（2）当UGS为大于UGS（th）的某个特定值，然后增加UDS。当UDSUGS-UGS（th），此时管子的电流就不会随着UDS变化而变化了，基本上维持恒定，只与UGS有关系，UGS越大，电流越大。
我不太喜欢用UGD表示，还是用UDS和UGS表示比较直观。
模电很多结论一方面是从半导体物理基础研究而来，也有很多是从实验结果获得的。

华中科技大学《半导体物理学》考研教材是那一本啊？

华科 半导体物理学 考研 教材。
《半导体物理问题与习题》，作者田敬民。是刘恩科《半导体物理》的配套材料。里面很多习题是课后习题，还有很多扩展，拿来准备考研也是很不错！
30 固体物理 参考书目. 固体物理导论：
（1） Kettle C 著， 2005. 北京. 北京. 项金钟。 （2） 黄昆原著，吴兴惠译：化学工业出版社. 固体物理学，陈大钦，韩汝琦改编. 《电子技术基础》， 2002
831 电子技术基础 参考书目 康华光： 高等教育出版社，高等教育出版社

想学习微电子器件方面的知识，应该看哪些书

首先你的基础要好，比如高数，数学物理方法，普通物理这些，然后就要看看半导体物理，这本书绝对是必须得看的，如果学有余力还可以看看固体物理，四大力学这些基础学科，对你后来的学习绝对有很大的帮助，之后就看看半导体器件物理，推荐施敏的，这是一本国外教材，讲的很全面，然后就可以根据自己的喜好方向来选择是看功率半导体器件还是光电子器件或者是量子阱器件等，不论哪个方向，前面所说的基础都是必须要掌握的。

在半导体物理中，P型和N型半导体在不受任何作用（电，光照）下，空穴和电子怎么样移动，

P型半导体与N型半导体在达到相对稳定状态时，存在两种运动：漂移与扩散，扩散就是粒子从浓度高的地方向浓度低的地方运动；而漂移是指半导体在内建电势场的作用下运动(内建电势场的形成基本可以看做是一面负电荷多，另一面正电荷多形成的)，这两种运动的方向相反，平衡时两种运动的粒子速率相同，达到了动态平衡。所以电子不会把所有的空穴占满的。