我有一个24V,20A(480W)的半导体元件,可以通过改变电压调节功率, 我想使用一个可调电位器来调节半导体
三极管和可控硅的K极电压在0.1~0.5V 这样吧!你选5W0.5A 我把你的最大功率除了放大倍数得来的! 我的放大倍数算的是10. 如果你知道确切的放大倍数你可以那480除以当大倍数得到功率直后除以电压就是电流了 你可以试试!我也不是专业的
晶体二极管有什么作用?
当电流通过各种物体时,不同的物体对电流的通过有着不同的阻止能力,有的物体可使电流顺利通过,也有的物体不让其通过,或者在一定的阻力下让它通过。这种不同的物体通过电流的能力,叫做这种物体的导电性能。各种物体均有着不同的导电性能,凡是导电性能很好的物体叫做导体。如银、铜、铝、铅、锡、铁、水银、碳和电解液等都是良好导体。反之,导电能力很差的物体叫做绝缘体。还有,有的物体的导电能力比导体差,但比绝缘体强,这种导体叫做半导体。如常用的晶体管原材料硅、锗等。收音机 CPU都是半导体
二极管是单向通过电流 可以变交流电为直流电
金属电阻的( )是金属电阻应变片工作的物理基础
金属电阻应变片分为丝式、箔式两种.金属电阻应变片的基本原理基于电阻应变效应:即,导体产生机械形变时它的电阻值发生变化.在梁弯曲实验中一般用4张应变片组成一个电桥,4张应变片粘贴在弯曲梁上时,采用拉伸面2张,压缩面2张得粘贴方法。
制造半导体器件时根据哪些原则选择衬底
。。。。明天答辩会不会问啊。 衬底材料的选择主要取决于以下九个方面:
结构特性好,外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小
界面特性好,有利于外延材料成核且黏附性强
化学稳定性好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀
热学性能好,包括导热性好和热失配度小
导电性好,能制成上下结构
光学性能好,制作的器件所发出的光被衬底吸收小
机械性能好,器件容易加工,包括减薄、抛光和切割等
价格低廉
大尺寸,一般要求直径不小于2英吋
衬底的选择要同时满足以上九个方面是非常困难的。所以,目前只能通过外延生长技术的变更和器件加工工艺的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化镓研究的衬底材料比较多,但是能用于生产的衬底目前只有二种,即蓝宝石Al2O3和碳化硅SiC衬底。表2-4对五种用于氮化镓生长的衬底材料性能的优劣进行了定性比较。
评价衬底材料必须综合考虑下列因素:
衬底与外延膜的结构匹配:外延材料与衬底材料的晶体结构相同或相近、晶格常数失配小、结晶性能好、缺陷密度低;
衬底与外延膜的热膨胀系数匹配:热膨胀系数的匹配非常重要,外延膜与衬底材料在热膨胀系数上相差过大不仅可能使外延膜质量下降,还会在器件工作过程中,由于发热而造成器件的损坏;
衬底与外延膜的化学稳定性匹配:衬底材料要有好的化学稳定性,在外延生长的温度和气氛中不易分解和腐蚀,不能因为与外延膜的化学反应使外延膜质量下降;
材料制备的难易程度及成本的高低:考虑到产业化发展的需要,衬底材料的制备要求简洁,成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。